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三星提高了芯片制造工艺的效率

三星透露了计划在2020年第二季度末开始大规模生产5nm EUV芯片,并计划在今年开始开发3nm工艺。据报道,该公司在保持相同晶圆输入水平的同时,将半导体产量提高了约40%,这意味着三星已经提高了生产效率。

这家韩国公司在半导体领域的投资从2017年的27.35万亿韩元下降到2018年的23.72万亿韩元和2019年的22.56万亿韩元。三星在2018年花费了1.66万亿韩元,但由于12%的原因,它不得不在2019年花费1.86万亿韩元。价格上涨,这意味着公司购买的晶圆数量没有变化。但是,生产的芯片数量从2018年的7,110亿吉比特增长了39%,到2019年达到了8,890亿吉比特。

三星还通过将其第一代10nm(1x)工艺转换为第二代(1y)或第三代(1z)来改进其DRAM制造工艺。当公司完成此过程时,使用相同数量的晶圆,它可以使芯片生产量增加20%到30%。而且,一旦三星使用EUV生产其DRAM芯片,与1倍工艺相比,使用相同数量的晶圆,其生产的芯片数量就可以翻倍。

在NAND闪存领域,该公司最近宣布已开始开发业界首个160层闪存。使用这种技术制造的芯片比使用上一代技术制造的芯片要小,每个晶片的生产率提高了20%。

业内专家表示,中国最近在芯片制造领域的巨额投资仍不足以击败三星。与之竞争的中国公司YMTC的128层NAND闪存芯片技术不如三星的使用通道孔蚀刻技术的160层芯片。该公司目前在半导体领域看起来很不错。

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